基于镀铜SiC颗粒制备石墨烯片和碳纳米管混合物

摘要

利用化学气相沉积法(CVD),分别在光沉积镀铜SiC颗粒和无电镀铜SiC颗粒表面制备石墨烯片和碳纳米管的混合物.利用拉曼光谱和扫描电镜(SEM)研究了制备温度和保温时间对生成的石墨烯片的质量和层数的影响.结果表明:利用化学气相沉积法,均可在无电镀铜SiC颗粒和光沉积镀铜SiC颗粒表面生成多层石墨烯片和碳纳米管的混合物;以无电镀铜颗粒作为基体,在1000℃下保湿20min生成的石墨烯片较佳,已经接近单层;利用SEM观察最佳参数下的生成物,可发现碳纳米管交错分布在圆形铜颗粒间,直径范围约10～45nm.