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原位反应法制备常压烧结碳化硅-氮化硼陶瓷的研究

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通过引入BN的方法来提高SiC陶瓷的绝缘和介电性能.原位反应法能够制备显微结构均匀、BN粒径小的SiC-BN陶瓷材料,可以解决商用BN粉体纯度较低、粒径较大等不足.本文采用不同的原位反应合成工艺、烧结温度和BN含量,制备出高热导、高绝缘、低介电常数及损耗的SiC-BN陶瓷材料,其电阻率最高可达1010Ω·cm.

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来源
《第十一届全国工程陶瓷学术年会》|2013年|100|共1页
会议地点武汉
作者
李寅生; 黄政仁; 闫永杰;
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作者单位

中国机械工程学会;

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TQ174.758.2;
关键词
陶瓷复合材料; 碳化硅; 氮化硼; 原位反应法; 常压烧结;

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