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秦璐; 许兴胜; 徐波; 张连学; 葛超洋; 冉广照;
厦门大学;
浙江大学;
硅基混合激光器; 量子点材料; 电学特性; 光学特性;
机译:金属带状晶圆键合在绝缘体上硅衬底上的InAs / GaAs量子点激光器
机译:通过低电阻率,无金的金属介导的晶圆键合在Si基板上放置1.3μmInAs / GaAs量子点激光器
机译:基于金属键合的电泵浦室温脉冲InGaAsP-Si混合激光器
机译:在硅基板上的1.3μmInAs / GaAs量子点激光器,通过直接键合的GaAs / Si异质界面注入电流
机译:InGaAs量子点和量子点激光器的交替分子束外延和表征。
机译:使用整体和混合集成方法在硅上形成InAs / GaAs量子点微激光器
机译:通过粘合模具键盘键合,13μm/ GaAs量子点DFB激光器集成在Si波导电路上
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用
机译:混合量子点中的介质覆盖层控制InGaAs / GaAs量子点能带的方法。
机译:/混合量子点中电介质覆盖层控制InGaAs / GaAs量子点能带的方法
机译:以及透明辅助电极膜和透明辅助电极膜的制造方法,透明导电膜和透明导电膜的制造方法
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