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利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜

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摘要

采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.

著录项

来源
《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》|2017年|63-64|共2页
会议地点厦门
作者
张璐; 王一森; 李成; 陈松岩; 黄巍; 汪建元;
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作者单位

厦门大学;

浙江大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5;TN304.11:TN304.052;
关键词
柔性薄膜晶体管; 锗锡薄膜; 磁控溅射; 脉冲激光退火; 结晶性; 表面形貌;

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