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黄诗浩; 谢文明; 汪涵聪; 林光杨; 王佳琪; 黄巍; 李成;
厦门大学;
浙江大学;
锗材料; 能带结构; 晶格振动; 散射几率;
机译:内部光发射和电荷校正的X射线光电子能谱确定了GeO_2 / Ge界面处的导带偏移
机译:内部光发射和电荷校正的X射线光电子能谱确定GeO 2 inf> / Ge界面处的导带偏移
机译:Si_xGe_(1-x)/ Ge界面处的导带不连续性和电子约束
机译:Ge / SiGe多量子阱的导带中的太赫兹带间跃迁
机译:氢化非晶硅基材料中的电子漂移迁移率测量和导带尾态(锗和碳合金的影响)。
机译:激光电子散射产生多GeV电子正电子束
机译:非平衡ARPES降低Bi2Se3导带中表面电子声子散射的证据
机译:siGe HBT中寄生导带屏障形成的器件物理分析
机译:用于检测材料局部变形的背向散射电子密度确定装置,具有用作透镜或非平面反射器的电子光学装置,以增加背向散射电子路径的发散度
机译:一种用于红外辐射的光电探测器,包括半geidelelichahaam,一种由两种半凝胶材料构成的合金,在价带和导带之间具有不同的禁带宽度。
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