铸造单晶硅材料——生长和缺陷控制

摘要

铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向，面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战，位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素，晶界工程可以降低位错团，明显提高晶体质量。