AlGaN(000(-1))表面氟杂质的第一性原理研究

摘要

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)对于简化电路结构、降低系统成本、提高系统安全性从而深化AlGaN/GaN HEMT在微波功率放大器和高速数字电路中的应用具有重要意义.通过离子注入或等离子体处理在势垒层中引入氟(F)杂质可以实现增强型AlGaN/GaN HEMT的制备,而目前F杂质对HEMT性能的影响机理尚不明确.本文从第一性原理计算出发,明确卤素杂质的稳态构型及其对AlGaN电子结构的影响,并以此为基础探讨了F杂质对AlGaN/GaN HEMT电学性能影响的微观机制.