基于石墨烯复合结构的场致电子发射性能研究

摘要

随着石墨烯生长技术的不断成熟,获得大面积高质量的石墨烯薄膜成为可能,同时促进了石墨烯在太赫兹电子器件中的应用研究.由于其能带结构和其他特性,石墨烯与太赫兹科学有着内在的必然联系.例如,当载流子浓度匹配时,石墨烯内部的等离激元震荡频率就在太赫兹波段.因此,研究石墨烯对太赫兹领域有重要的作用.文中将重点介绍通过将石墨烯和多维纳米材料复合在一起来制备场致发射器件结构的方法以及其场发射性能研究.这些复合结构综合考虑了石墨烯的场发射性能以及增强特性,并且给出了全面的阴阳极电流和栅压调控的电流响应特性.此外,还利用原位探测技术在扫描电子显微镜中直接测量石墨烯的电子发射性能.石墨烯在真空电子器件中的应用为实现大规模的二维电子器件的设计提供了一种潜在的可能性.