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史艳磊; Yanlei Shi; Niefeng Sun; 孙聂枫; Haoyu Wang; 王昊宇; Shujie Wang; 王书杰; Xiaolan Li; 李晓岚; Huimin Shao; 邵会民; Lijie Fu; 付莉杰; Yang Wang; 王阳; Xiaodan Zhang; 张晓丹; Ruixia Yang; 杨瑞霞; 刘惠生; Huisheng Liu; Tongnian Sun; 孙同年;
中国电子学会;
磷化铟; 单晶生长; 放肩工艺; 孪晶现象;
机译:块状单晶生长过程中位错密度的有限元分析(InP单晶中掺杂原子的影响)
机译:评述“闪锌矿型化合物半导体中的孪晶形成分析:使用M. Neubert,A。Kwasniewski和R. Fornari的统计方法对块状InP进行的模型研究”,《晶体生长》 310(2008)5270
机译:答复D.T.J.的评论``闪锌矿型化合物半导体中孪晶形成的分析:使用统计方法对块状InP进行模型研究'' Hurle和M.Dudley
机译:TB-LEC法减少了INP单晶中的位错密度
机译:与盐肩,石膏谷盐墙,悖论盆地,科罗拉多州盐肩相关的变形脚梯的结构分析
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:生物双稳态模型中的批判性放缓
机译:氮化铝单晶生长过程中传输现象的模拟
机译:GaAs单晶生长中防止孪晶的方法
机译:硅单晶生长中凸肩的形成方法
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