首页> 中文会议>第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 >高性能2004nm InGaAs量子阱脊波导分布反馈激光器

高性能2004nm InGaAs量子阱脊波导分布反馈激光器

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文对波长为2004nm的InGaAs量子阱脊波导分布反馈激光器的制备和性能进行了研究.通过采用简单的工艺步骤,制备出了稳定单模工作且无跳模的器件.器件的发光波长可以在2000nm-2008nm范围内精细调控,边模抑制比达到49dB,波长的电流和温度调谐速率分别是0.0047nm/mA和0.127nm/K.

著录项

来源
《第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》||337-339|共3页
会议地点厦门
作者
Feng Xu; 许锋; Shuai Luo; 罗帅; Hai-ming Ji; 季海铭; Zun-Ren Lv; 吕尊仁; Xiao-guang Yang; 杨晓光; Tao Yang; 杨涛;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
分布反馈激光器; 量子阱; 脊波导; 制备工艺;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器(英文) [J] . 潘教青 ,王圩 ,朱洪亮 . 半导体学报：英文版 . 2005,第9期
2. 1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器(英文) [J] . 王书荣 ,王辉 ,王宝军 . 光电子．激光 . 2004,第8期
3. 室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器 [J] . 张雄 ,李爱珍 ,张永刚 . 稀有金属 . 2004,第3期
4. 用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器(英文) [J] . 陆羽 ,张靖 ,王圩 . 半导体学报：英文版 . 2003,第9期
5. 用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器 [J] . 杨国文 ,徐俊英 . 高技术通讯 . 1997,第003期
6. 具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器 [C] . 孙长征 ,文国鹏 . 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 . 1998
7. 气体传感用长波长大应变量子阱分布反馈激光器的研究 [A] . 于红艳 . 2011

高性能2004nm InGaAs量子阱脊波导分布反馈激光器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅