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InAs单晶的碳离子注入研究

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用不同能量和剂量的高能碳离子分别注入InAs单晶样品中,并利用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射-沟道谱对离子注入后的晶格损伤和快速退火后的损伤消除进行了分析,并得到了注入后杂质原子的占位情况.在300℃下快速退火20s后碳离子注入产生的晶格损伤得到了很好的恢复.进一步增加退火温度,注入层晶格完整性变差.综合霍尔和拉曼散射测试结果,可以确定大多数碳原子占据In晶格位置,起施主作用.

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来源
《第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》||314-317|共4页
会议地点厦门
作者
Guiying Shen; 沈桂英; Youwen Zhao; 赵有文; Tong Liu; 刘彤; Jingming Liu; 刘京明; Hui Xie; 谢辉; Yongbiao Bai; 白永彪; Xiaoyu Chen; 陈小玉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
砷化铟单晶; 碳离子注入; 背散射; 沟道谱; 晶格损伤;

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