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SiC/SiO2MOS界面高温氮化机制研究

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本文通过在1350℃条件下利用氮气(N2)对SiC/SiO2界面进行退火处理,研究了SiC/SiO2界面的高温氮化机制.实验表明,高温下的氮气退火,能够降低SiC/SiO2界面处的慢界面态,同时会导致快界面态的产生,正如NO处理过后的一样,说明高温N2退火处理实现了界面的不完全氮化.同时,还发现,SiC/SiO2界面的氮化过程首先从靠近导带处开始,并逐渐向禁带中央靠近.

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来源
《第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》||219-221|共3页
会议地点厦门
作者
Zhaoyang Peng; 彭朝阳; 王弋宇; Yiyu Wang; Yun Bai; 白云; Jilong Hao; 郝继龙; Shengxu Dong; 董升旭; Ximing Chen; 陈喜明; 李诚瞻; Chengzhan Li; Xinyu Liu; 刘新宇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
金属氧化物半导体界面; 高温氮化机制; 氮化硅; 二氧化硅;

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