新型碳化硅沟槽二极管设计

摘要

本文通过Silvaco仿真设计碳化硅沟槽二极管,改进传统结型肖特基势垒二极管(JBS),引入沟槽结构进一步降低反向偏压下肖特基接触表面电场,降低漏电流,提升二极管击穿电压.对于终端为场限环(FLR)结构的二极管,作为有源区与终端的过渡区,主结处沟槽结构的引入提升了二极管的击穿电压,优化设计主结处的沟槽结构,主结范围内间隔刻槽,槽下、槽间P型注入形成结势垒,如此锯齿形的结势垒在纵向上增加了结势垒面积,在反向时有效利用主结承担更多电压,并且有利于反向时耗尽区向终端区的扩展.