左室基底部室性心律失常特点、解剖与导管消融

摘要

室性心律失常(ventricular arrhythmias,VAs)包括室性心动过速(ventricular tachycardia,VT)与室性早搏(premature ventricular complexes,PVCs),大部分起源于右室流出道(right ventricular outflow tract,RVOT),也可起源于左室流出道(left ventricular outflow tract,LVOT)以及主动脉窦(Aortic sinus cusps,ASC)内.少数VAs起源于左心室(left ventricular,LV)底部区域,位于LV最高位,称之为LV summit区.近年来,随着对LV起源性VAs认识的不断深入,导管射频消融的成功率不断升高,已成为治疗该类VAs安全而有效的方法.但是,由于LV底部解剖的复杂性,且其与重要结构相毗邻,仍有部分LV起源性VAs是消融治疗的难点.正确认识相关的解剖结构,了解不同部位起源VAs的心电图特征和电生理特点,有助于选择最佳的消融路径,提高射频消融治疗的成功率.本文主要论述了ASC与LV底部summit区的相关解剖关系以及该部位起源性VAs的电生理特性.