新一代高温功率芯片Cu-Sn TLPS连接研究

摘要

本文模拟新一代功率芯片封装连接结构,采用瞬时液相烧结(TLPS)连接技术,以Cu-Sn为反应系进行了Cu/Cu-Sn/Cu三明治结构连接.结果表明,连接温度和保温时间均对连接层的显微组织有明显影响.提高连接温度、延长保温时间,均有利于消除孔洞,改善连接层的致密性.当粉末质量配比为Cu/Sn=40∶60时,在360℃×1h×0.14MPa的工艺参数下,实现了等温凝固,得到了连接层主要成分为Cu3Sn和Cu6Sn5的连接,接头的理论使用温度可达415℃.