首页> 中文会议>第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 >低温CVD沉积固态源共扩散制备N-PERT电池的P+发射极层和N+背场

低温CVD沉积固态源共扩散制备N-PERT电池的P+发射极层和N+背场

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

介绍了N-PERT电池和固态源共扩散简介现行硼磷扩散工艺与固态源共扩散的对比固态源扩散P+和N+层实验结果结论N-PERT电池简介结构简单,与P型结构类似.双面发电,单位面积发电量高.适用的N型硅片范围广.设备工艺与P型电池兼容性高.

著录项

来源
《第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会》|2016年|1-12|共12页
会议地点浙江嘉兴
作者
宿世超; 黄海宾; 周浪; 高超; 岳之浩; 袁吉仁;
展开▼
作者单位

中国可再生能源学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.3;
关键词
太阳能电池; 发射极层; 背场; 化学气相淀积; 固态源共扩散;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p^+/n^+发射极研究 [J] . 宿世超 ,王涛 ,韩宇哲 . 人工晶体学报 . 2016,第11期
2. 二氧化硅纳米球辅助制备n+发射极太阳电池性能研究 [J] . 顾浩 ,沈鸿烈 ,刘连峰 . 电子器件 . 2019,第005期
3. 不同工作温度下a-Si(n)/c-Si(p)/uc-Si(p+)异质结太阳能电池微晶硅背场的模拟计算与优化 [J] . 杨大洋 ,刘淑平 ,张棚 . 红外 . 2013,第008期
4. 基于PECVD法沉积氮氧化硅/氮化硅叠层背钝化膜的商用高效P型单晶硅太阳电池 [J] . 王恩宇 ,郭卫 ,王艳波 . 科学与财富 . 2015,第011期
5. 单一混合固态源PE-MOCVD法制备YSZ薄膜及其表征 [J] . 刘铭飞 ,姜银珠 ,高建峰 . 高等学校化学学报 . 2005,第011期
6. 硼磷共扩散法制备硅背电场太阳电池 [C] . 魏光普 ,余万涛 ,唐则祈 . 中国第六届光伏会议 . 2000
7. HWCVD沉积固态源扩散制备n-PERT双面太阳电池 [A] . 宿世超 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号