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一种基于量子隧道效应提高石墨烯FET开关比的方法

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摘要

由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新型石墨烯FET器件以提高器件开关比,并通过改善石墨烯与基底界面接触来提高石墨烯FET器件的载流子迁移率的工艺方法.

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来源
《2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术》|2016年|206-208|共3页
会议地点上海
作者
何伟; 屈新萍;
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作者单位

上海市学位委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
石墨烯场效应晶体管; 开关比; 载流子迁移率; 量子隧道效应;

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