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两种功率变换拓扑抗辐照特性研究

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摘要

功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机理,其次介绍了两种适应空间辐照环境的功率变换拓扑电路,然后进行这两种功率功率变换拓扑电路的电离总剂量试验,对试验结果进行分析并给出试验结论.

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来源
《2017年全国工业控制计算机年会》|2017年|276-280|共5页
会议地点北京
作者
宋浩; 廖岩; 成渭民; 张建渝;
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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应型;
关键词
功率变换拓扑电路; 金属氧化物半导体; 空间辐射; 抗辐照特性; 碳化硅功率器件;

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