硅基CMOS快速光电探测器

摘要

本文提出一种快速的硅基CMOS光电探测器.采用纵向结构实现对光电探测器中二极管响应速度的提升,通过在光电二极管正面和背面加金属电极,可使入射光产生的光生载流子迅速转化为光电流.在对光电二极管的外延层厚度进行仿真比较后,得出光电二极管的响应度的峰值波长在780nm,在905nm时响应度为0.21A/W;此外,在频率特性方面,其-3dB带宽大于400MHz,上升时间小于10ns,相比于横向光电二极管,其上升时间减少了3/4,可以更快速地对入射光做出响应.