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赵国南;
中国电子学会;
集成电路;
机译:在设计为800nm波长的多孔硅分布式布拉格反射器上增强了大砷化镓薄膜的砷化镓薄膜。
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:Nonohmic传导率和能量弛豫机制歌德罗斯特拉基土拉砷化镓/砷化铟镓/砷化镓20个电子气
机译:砷化镓超高速门阵列的离子注入研究
机译:超高速磷化铟/砷化镓砷/磷化铟双异质结双极晶体管的设计,制造与表征
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:砷化镓基质的制备方法,砷化镓基质及其使用以及表征砷化镓基质表面性质的方法
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