MFIS结构铁电场效应晶体管伽马总剂量效应研究

摘要

采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在已经注入了源漏区的HfTaO/Si(100)基底上制备了P型MFIS(金属-铁电-绝缘层-硅)FeFET(铁电场效应晶体管).采用铁电分析仪和半导体器件分析仪对制备的MFIS FeFET进行了电学性能测试,测试结果表明制备的MFIS FeFET具有良好的转移特性、输出特性、保持特性和抗疲劳特性.辐射源采用美国Brookhaven国家实验室的60Co伽马放射源,进行了三组不同辐射剂量的实验.实验结果表明MFIS FeFET在辐射后转移特性和保持特性均产生退化,在高剂量辐射下制备的MFIS FeFET已经失去了数据存取能力.