Gd<,9.33>(SiO<,4>)<,6>O<,2>:Ce荧光粉的光致发光和阴极射线发光

机译：连续电子辐照铈掺杂Gd_2SiO_5和Gd_（9.33）（SiO_4）_6O_2荧光粉的阴极发光

机译：Ca2Gd8（SiO4）（6）O-2：Ce3 +，Tb3 +，Mn2 +荧光粉的光致发光研究

机译：溶胶-凝胶软光刻法制备磷灰石La-9.33（SiO6）（4）O-2：A（A = Eu3 +，Tb3 +，Ce3 +）荧光粉膜的制备，图案化和发光性能

机译：Ba x Sr y Li z SiO 4 ：Ce 3 + 的光致发光特性，用于NUV-LED照明的Mn 2 + 荧光粉

机译：锑化铟的光致发光，磁光致发光和时间分辨光致发光研究。

机译：高效合成晶体结构和光致发光特性深红色发光的Ba2GdTaO6：Mn4 +荧光粉

机译：通过时间分辨光致发光研究两个Gd2siO5结晶位点的Er3 +通过时间分辨光致发光研究Gd2siO5两个结晶位点中的Er3 +

机译：需要透明和透明的阴极射线管荧光粉的发光度

机译：使用反馈增强型发光二极管的显示装置<相关申请书>长期以来的期望安装）对该文件的坚持美国临时申请2002年5月8日第60 / 379,141号申请（全部）长期以来的愿望是，以美国专利申请号命名的2003年5月8日申请的“反馈增强型发光器件（FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE）”，并且“使用反馈增强型发光二极管来照明”。其中，2003年5月8日提交的（LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE）（美国专利申请号为（对于这些申请，已安装在本文档中））与引用全部相关。

机译：本反馈增强型发光装置<相关申请的描述>要求（其全部内容通过引用合并于此）2002年5月8日提交的美国临时申请No.60 / 379,141的权益。称为“使用反馈增强型发光二极管的照明装置（LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE）”，并且申请号为2003年5月8日，美国专利申请号为，并提交了2003年5月8日申请的“反馈型照明装置”。二极管美国专利申请号（这些申请的全部内容通过引用并入本文）与所使用的指定显示装置相关联和（DISPLAYDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE）。

机译：申请<相关申请的描述>使用反馈增强型发光二极管的照明装置通过引用并入本文（2002年5月8日提交的所有美国临时申请No.60 / 379,141，我要求其利益）。美国专利申请No.No.1和本申请的显示装置使用了“反馈增强型发光二极管，于2003年5月8日提交，被称为”反馈增强型发光装置（FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE）”，本申请例如，美国专利申请2003年第8号（这些申请的全部内容通过引用并入本文）与“ DISPLAYDEVICESUSSUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE”相关联。