首页> 中文会议>第五届全国光伏技术学术研讨会 >太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究

太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究

摘要

探讨了太阳能级硅中氧杂质对电池性能可能的影响,并据此对激光刻槽埋电池的工艺加以优化。在此基础上,制作的大面积(25.25cm〈’2〉)太阳电池的转换效率达到16.59℅。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号