CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化

摘要

利用Ar<'+>束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明：这里得到的cdTe／HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。