控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

摘要

以SeO2为硒源、以阳极氧化铝(AAO)为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理.在此基础上,以阳极氧化铝(AAO)为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对所制备的材料进行了形貌和结构表征.SEM形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100nm,与模板孔径一致.XRD测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型.光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8mV,高于CdSe薄膜(125.5mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5h后,CdSe纳米线的降解率达94.29％,强于CdSe薄膜(52.03％).