双层多孔硅结构上的低温硅外延

摘要

该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超高真空化学气相淀积低温外延获得了硅单晶外延层。对该外延层作了ＸＲＤ，ＳＥＭ和扩展电阻等测量，结果表明获得的Ｐ型外延硅单晶性好，和多孔硅的界面良好，硅处延层的电阻率在１３５Ω．ＣＭ左右。