氮化硅陶瓷的热等静压后处理致密化机理研究

摘要

研究了Post-HIP处理Si<,3>N<,4>的致密化机理，讨论了阻碍致密化的原车。研究结果表明：合适的HIP后处理工艺可以弥补预烧工艺中的某些偏差，从而提高材料的可靠性。HIP后处理阶段，从边缘到中心的元素浓度梯度是主要的传质动力，可溶性气体的溶解以及向边缘的传输是气孔消除的主要机制，适当失重将有利于材料的致密化。HIP致密化过程中的“阻塞”现象不利于中心处向表面的传质和中心处的致密化。预烧试样只有达到某一临界密度时，才能同时避免“桥联”现象和“阻塞”现象的发生。