Au/(Si/SiO<,2>)/P型Si结构的可见电致发光研究

摘要

Si/SiO<,2>薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO<,2>)/p-Si结构在室温下的可见电致发光，其发光谱峰位均位于660nm处，测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主 要来自于SiO<,2>层中的发光中心上的复合发光。