MOVPE生长的GaN基蓝色/绿色LED

摘要

该文报道了研究人员课题组在蓝色/绿色LED方面的研究工作进展：用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石(a-Al<,2>O<,3>)衬底上先后生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构和InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430-450nm和520-540nm。