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高能质子在存储单元灵敏区内沉积能量的模拟计算

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采用Monte Carlo方法模拟高能质子与半导体材料硅的反应.应用TRIM程序计算次级粒子的射程.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,导致单粒子效应.

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来源
《第三届计算物理学术会议》|2001年|197-202|共6页
会议地点乌鲁木齐
作者
贺朝会; 陈晓华; 李国政;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类高能物理学;
关键词
高能质子; 单粒子效应; 存贮单元;

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