MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

摘要

采用高频C-V曲线方法,研究了500A及150AMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程,发现电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10<'3>GY(Si)剂量下同栅SiO<,2>厚度成正比,而在5×10<'3>GY(Si)剂量下同栅SiO<,2>厚度的2倍成正比,利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO<,2>界面附近分布的距离均约为40A.