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新型厚胶特性的研究

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微光机电系统通常采用紫外或X射线光刻技术制作,不同于一般的集成电路加工,其所用光刻胶之厚度达数十微米以上,因此有必要对用于微光机电系统加工的厚胶进行研究.在本文中,我们对一种新型厚胶——AZ PLP 100XT进行了曝光显影特性的实验研究,给出了该胶特性规律,为使用该胶加工微光学和微机械器件提供了依据,为计算模拟分析光刻加工器件的三维图样提供了保证.

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来源
《第五届全国微米/纳米技术学术会议》|2001年|73-75|共3页
会议地点重庆
作者
杜惊雷; 英国卢瑟福实验室微结构中心; 肖啸; 英国卢瑟福实验室微结构中心; 杨静; 英国卢瑟福实验室微结构中心; 张怡霄; 英国卢瑟福实验室微结构中心; 郭永康; 英国卢瑟福实验室微结构中心; 崔铮; 英国卢瑟福实验室微结构中心;
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作者单位

国家自然科学基金委员会;

科技部;

解放军总装备部;

清华大学;

重庆大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
厚胶; 光刻; 微系统; 微机械电子系统; 曝光显影;

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