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电沉积Cu/Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应

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摘要

采用单槽法在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co纳米多层膜,通过扫描电镜对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(入)的关系,入较大时,没有观察到明显的CMR效应,当入小于100nm时,GMR效应随入减小而增大,而当入小于8nm时,GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡.

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来源
《天津市电镀工程学会第九届学术年会》|2002年|136-138|共3页
会议地点天津
作者
姚素薇; 赵瑾; 张卫国; 董大为;
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作者单位

天津市电镀工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电化学保护;特种结构材料;
关键词
纳米多层膜; 巨磁电阻; 电沉积;

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