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谭开洲; 司琴; 李儒章; 严顺炳;
中国电子学会;
纵向PNP晶体管; P阱CMOS工艺; 电流放大系数; 集成电路;
机译:PNP PIN双极型光电晶体管,用于采用180 nm CMOS工艺的高速应用
机译:使用CMOS衬底pnp晶体管进行精确温度测量
机译:补偿CMOS技术中的高增益发射极反相层PNP垂直双极晶体管
机译:飞行时间范围在0.35&#X00B5中使用PNP双极光电晶体管使用PNP双极光电晶体来查找传感器; M CMOS工艺,具有高免疫背景灯
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:PNP PIN双极型光电晶体管适用于采用180nm CMOS工艺的高速应用
机译:一种使用CmOs兼容的忆阻神经网络计算引擎 电荷陷阱晶体管(CTT)
机译:采用CmOs兼容处理技术的蓝宝石上的高电子迁移率晶体管结构
机译:高增益横向PNP和NPN双极晶体管,并且与CMOS兼容,可制造BiCMOS电路
机译:与CMOS兼容的高增益横向PNP和NPN双极晶体管的制造方法,用于制造BICMOS电路
机译:高增益横向PNP和NPN双极晶体管,并且与CMOS兼容的工艺可用于制造BICMOS电路
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