基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管

摘要

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,J<,p>(峰值电流)=1.589kA/cm<'2>,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,J<,p>=1.086kA/cm<'2>.两种情况下,较低的PVCR可归结为Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结构本身的能级特性和热效应.