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陆大成;
中国物理学会;
硅衬底; GaN外延生长; LED; 制作工艺;
机译:AlGaN中间层对硅衬底上GaN基绿色LED的发光效率和可靠性的影响
机译:SiC衬底上制造的GaN基LED的研究进展
机译:两步生长的InGaN / GaN超晶格的界面改性为硅衬底上的基于InGaN的绿色LED制备层
机译:在多晶硅衬底上形成的GaN基纳米柱状晶体的精细结构
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:si(001)上V型沟槽硅衬底 - 立方相GaN上GaN的纳米级空间相位调制,用于单片集成
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:gan einkristalls的育种程序,gan基质的生产方法,gan基上的元素和gan基上的元素的生产方法
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