GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

摘要

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化.对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al<,2>O<,3>/GaAs薄膜,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征,结果表明,氧化前,GaAs/AlAs/GaAs结构中,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层11nm的均匀过渡层,而且由于掺入了少量的In,有4nm的AlAs层的平均原子密度减少,利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al<,2>O<,3>,而且与氧化前相比,减少了AlAs层与表面GaAs之间过渡层的厚度与粗糙度.