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半绝缘砷化镓晶体缺陷X射线透射形貌观察

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本文采用扫描X射线透射形貌技术(Lang法)研究了半绝缘砷化镓中的高密度位错的结构与分布,在没有特殊工艺措施的情况下,一般LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在着高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|148-151|共4页
会议地点厦门
作者
徐岳生; 王海云; 唐蕾; 刘彩池; 郝景臣;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.07;
关键词
砷化镓; 半导体材料; 晶体缺陷; 密度位错; X射线形貌技术;

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