Fe<,x>/(In<,2>O<,3>)<,1-x>颗粒膜中的自旋相关跃迁磁电阻效应

摘要

用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fe<,x>/(In<,2>O<,3>)<,1-x>.室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;所得到的巨磁电阻最大值为5.15﹪,遵从于颗粒膜磁电阻的平方律;在2.2K时得到高达506﹪巨磁电阻,这是一种与室温下完全不同的自旋相关跃迁磁电阻效应,是由分散在In<,2>O<,3>中磁性杂质Fe原子对局域磁矩的影响形成的.