首页> 中文会议>第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会 >HfFe<,6>Ge<,6>型ErMn<,6>Sn<,6-x>Ga<,x>(x=0-2.0)化合物的结构与磁性

HfFe<,6>Ge<,6>型ErMn<,6>Sn<,6-x>Ga<,x>(x=0-2.0)化合物的结构与磁性

摘要

ErMn<,6>Sn<,6-x>Ga<,x>的居里温度从x=0的75K提高到x=0.4的383K,然后下降到x=2.0时的288K;其多晶样品的低温(5K)矫顽力也从x=0时的0.2kOe增至x=2.0时的22kOe.低温强磁晶各向异性是由于Ga对Sn的取代改变了Er的配位环境,从而改变了Er次晶格的二级晶场系数A<,20>符号.另外,六级Stevens因子γJ和Er次晶格的四级晶场系数A<,40>在决定这种化合物的易磁化方向也起了很重要的作用.

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