镁铝尖晶石透明陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜研究

摘要

本文以镁铝尖晶石透明陶瓷为衬底,用RTCVD(Rapid Tnermal Chemical Vapor Deposition)沉积制备了多晶硅薄膜,制备的薄膜均匀致密,研究了薄膜的性能和生长机理.在不同的沉积温度条件下所制备的多晶硅薄膜均表现为明显的择优取向,其择优晶向为(220).在高温条件下,薄膜以层状的形式生长;薄膜的迁移率随沉积温度的增加而增大.高温条件下获得了48.22cm<'2>(V·s)的迁移率.