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Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶中的元素分布

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摘要

采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)对多晶SiGe薄膜特性进行了表征,采用俄歇电子深度分布谱(AES)对Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶过程中的元素分布进行了研究.并对Ni诱导非晶SiGe结晶的机制进行了探讨.

著录项

来源
《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|2003年|63-66|共4页
会议地点深圳
作者
段鹏; 屈新萍; 刘萍; 徐展宏; 茹国平; 李炳宗;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
金属诱导结晶; 非晶SiGe薄膜; 元素分布;

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