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杨新荣; 王海云; 刘彩池; 徐岳生;
中国电子学会;
砷化镓; 碳微区分布; 电子探针X射线微区分析; 孤立位错;
机译:位错核心及其电子状态:砷化镓中的部分位错
机译:氩离子处理后砷化镓中位错的重新分布
机译:影响半绝缘砷化镓晶片中主要能隙给体空间分布的因素
机译:锑掺杂对低温生长砷化镓膜中纳米级砷簇和位错环的影响
机译:太赫兹脉冲产生过程中低温砷化镓和半绝缘砷化镓的衬底条件比较
机译:在半绝缘砷化镓上通过喷涂技术沉积的基于碳纳米管的光电探测器
机译:块状砷化镓中的半导体/半绝缘可逆性
机译:半导体和半绝缘砷化镓界面的迁移率,掺杂和载流子分布。
机译:制造半绝缘砷化镓晶片和半绝缘砷化镓晶片的方法
机译:制备半绝缘砷化镓晶片的方法和半绝缘砷化镓晶片
机译:半绝缘砷化镓半导体单晶的热处理,半绝缘砷化镓半导体单晶和晶片的热处理
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