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掺锗CZSi单晶中锗浓度测试方法的比较

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采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

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来源
《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|2003年|455-458|共4页
会议地点深圳
作者
牛新环; 张维连; 吕海涛; 蒋中伟; 张恩怀; 孙军生;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;
关键词
CZSi; SEM; SIMS; ICP; 晶体生长;

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