(Gd<,1-x>R<,x>)<,5>Si<,4>系合金在低磁场室温附近的磁热效应

摘要

用高频悬浮炉制备了(Gd<,1-x>R<,x>)<,5>Si<,4>(R=Dy、Tb)系合金.在1.3T磁场下,用自制的T<,ad>—T曲线测量仪直接测量了(Gd<,1-x>Dy<,x>)<,5>Si<,4>、(Gd<,1-x>Tb<,x>)<,5>Si<,4>、Gd<,5>(Si<,x>Ge<,1-x>)<,4>系合金及Gd金属的磁热效应.对于(Gd<,1-x>R<,x>)<,5>Si<,4>系合金,随着x的增加,其居里温度Tc逐渐降低,接近室温.