21世纪雷达信息技术中的电子器件

摘要

现代雷达需要大量使用半导体电子器件。十年来，微波功率器件最重要的发展是SiC和GaN电子器件。SiC和GaN同时兼有物理和电子参数方面的优势，具备宽带隙、高击穿电场，高电子薄层浓度、高电子峰值速度和高热导率的优点，有利于开发高电压大电流器件，能获得很高的功率密度和高达600℃的工作温度，还有高的抗电磁波冲击和高的抗辐射破坏的能力，而且热稳定性和化学稳定性相当好。