用磁控溅射法制备具有GMR效应的自旋阀多层膜

摘要

本文简单介绍了巨磁电阻(GMR)效应.在玻璃和4英寸Si片上用磁控溅射法,在高真空条件下,制备了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta的项目旋阀(spin valve)多层膜,在室温下测得的磁电阻变化率达9.42﹪,矫顽力为0.87×(10 <'3>4π)A/m.用CoFe/Ru /CoFe的SAF(sythetic antiferromagnetic)结构大大提高了自旋阀材料的交换偏置场.介绍了目前我们已研究和开发的GMR传感器.