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AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征

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设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟.采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品.实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低.SEM和AFM测量结果表明:这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的.

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来源
《首届全国先进焦平面技术研讨会》|2005年|888-890|共3页
会议地点乌鲁木齐
作者
姬小利; 龚海梅; 江若琏; 李亮; 谢自力; 周建军; 刘斌; 韩平; 张荣; 郑有炓;
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作者单位

中国电子学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体性质;
关键词
氮化镓; 分布布拉格反射镜; 光学传递矩阵方法; 化学气相淀积;

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