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滕雪梅; 李广海;
中国微米纳米技术学会;
《纳米科技》编辑部;
半导体薄膜; 溅射; 氧化锌; 光致发光;
机译:具有和不具有ITO缓冲层的Si衬底上ZnO薄膜的光致发光
机译:氢对带有SiO_2 / SiN_x / SiO_2缓冲层的非晶InGaZnO薄膜晶体管器件性能和稳定性特性的影响
机译:SiC缓冲层对在Si(1 1 1)衬底上生长的ZnO薄膜的光学性能的影响
机译:ITO缓冲层在硅衬底上ZNO薄膜的微观结构和力学性能。
机译:过渡金属氮化物基超晶格和缓冲层的外延生长和稳定化。
机译:掺Sol溶胶凝胶SiO2基玻璃::源和含量镁的添加和热处理对其光致发光性能的影响
机译:氧源和缓冲层对脉冲激光沉积ZnO薄膜晶体结构和电性能的影响
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:MITOSIS MITOSIS MITOSIS生物标志物组合物用于MITOSIS药物的敏感性预测估计方法,用于通过MITOSIS药物敏感性预测的方法,使用生物标志物组合物和诊断芯片检测用于检测MITOSIS药物的生物标志物组合物
机译:柔性版印刷元件fotopolimeriz u00c1vel,comp u00d3sito层,用于生产柔性版印刷元件,comp u00d3sito层的使用以及生产柔性版印刷元件fotopolimeriz u00c1vel的过程,以及用于制版无缝柔版印刷,连续式印刷
机译:具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
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