射频大功率LDMOS跨导特性分析

摘要

射频大功率LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)以其高工作频率和高性价比而得到广泛的应用.而跨导决定射频LDMOS性能的重要静态参数之一,本文针对射频大功率LDMOS的跨导模型进行了深入的研究.首先分析了射频大功率LDMOS中的电子运动規律,指出在射频大功率LDMOS中沟道和漂移区均可能出现电子速度饱和;在此基础上推导射频大功率LDMOS的跨导模型;最后,通过与实芯片测试结果的比较,验证了该模型适用性,并讨论了该模型的相关性质.